Исследователи из университета в Сан-Диего создали устройство хранения информации, созданные на основе модулей памяти с изменением фазового перехода (PCM). Создатели устройства уверяют, что созданные носители по производительности в тысячи раз опережают существующие жесткие диски, в семь раз быстрее, чем самые быстрые существующие твердотельные накопители (SSD).
Энергонезависимая память PCM основывается на уникальных свойствах металлического сплава халькогенида, способного пребывать в двух состояниях – кристаллическом и аморфном, каждое из которых соответствует 0 или 1. Переход между состояниями происходит посредством импульсов электрического тока, а при считывании данных, чип использует электрический заряд для определения текущего состояния носителя.
В устройстве сконструированном калифорнийскими исследователями, используются PCM-чипы первого поколения компании Micron Technology. Создатели утверждают, что созданный накопитель позволяет считывать и записывать большие объемы данных со скоростью 1.1 гигабайт в секунду и 371 мегабайт в секунду. Устройство также может похвастать небольшой задержкой между операциями и очень низким энергопотреблением.
На разработку устройства следующего поколения может уйдет от шести до восьми месяцев, а первые образцы коммерческих продуктов, могут появится на рынке через несколько лет.
Новый тип носителя информации.