Германские исследователи нашли способ производства монолитных графеновых транзисторов. В новом способе используется подложка из карбида кремния, на поверхности которой с помощью обычной литографии получают тончайшую графеновую пленку. Этот метод производства транзисторов может привести к появлению компьютерных чипов и процессоров, основанных не на кремниевых, а на графеновых полупроводниковых приборах.
Разработанная технология производства графеновых транзисторов имеет огромное значение для электронной промышленности, ведь ученые уже вплотную приблизились к пределам, в которых физические ограничения станут причиной остановки дальнейшего развития кремниевых полупроводников.
Исследования, проведенные Германскими учеными при содействии ученых из Швеции, основываются на результатах проведённых ранее исследований. Ранее ученым удалось выяснить, что если поверхность подолжки из карбида кремния подвернуть воздействию высокой температуры и некоторых других факторов, то атомы кремния перемещаются вниз, а на поверхности остаются только атомы углерода. При соблюдении некоторых условий эти атомы формируют кристаллическую решетку, имеющую толщину в один атом, (графен), и этот графен остается прикрепленным к кремниевому слою на поверхности подложки, который и является полупроводником. Что бы создать транзистор из получившегося "бутерброда", учёные использовали луч из высокоэнергетических ионов, которым вырезались части будущего транзистора, а именно, затвор, сток и исток. В результате у исследователей получился полностью функциональный графеновый транзистор.
Новый способ получения графеновых транзисторов.