Нанопамять в 10 раз быстрее существующей.


Международная сследовательская группа создала новый вид электронной памяти, способной осуществлять процессы записи, чтения и удаления информации в 10-100 раз быстрее, чем самые быстрые образцы существующей компьютерной памяти, использующей для хранения информации электрический заряд. Новая память состоит из слоя диэлектрического материала с включенными в него дискретными кремниевым наноточками, диаметром 3 нм. Каждая такая наноточка может хранить один бит информации.

Что бы управлять операциями с памятью, вся структура покрыта тонким слоем металла, который выступает в роли управляющего электрода, затвора. Кремниевая наноточка, в совокупности с диэлектрическим материалом и металлическим управляющим электродом, представляет собой полевой транзистор, способный находиться в активном и неактивном состоянии.

Созданная структура ячейки памяти может быть изготовлена с помощью самой обычной технологии производства полупроводников CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor). Используя массивы из многочсленных кремниевых наноточек, теоретически можно получить память практически любой емкости, информация в которой записывается и считывается быстрым и простым способом.

Секрет такого быстродействия нового типа памяти заключается в использовании сверхкоротких вспышек света зеленого лазера. Воздействие света на металлический слой в районе кремниевой точки позволяет активировать выбранную ячейку памяти, считать или записать в нее информацию.

Такой метод хранения информации является весьма надежным и долговременным. Даже, если какая-либо ячейка памяти полностью выйдет из строя, то это не затронет ни соседние ячейки памяти, ни информацию, в них содержащуюся. Такая характеристика памяти на кремниевых наноточках позволит создавать на ее основе новые надежные и высокоскоростные устройства долговременного хранения информации.

Есть дополнительная информация тел: (3012)277-200